膜厚測定,光学定数測定,複素屈折率・複素誘電率シミュレーションのテクノ・シナジー

分光エリプソメーター

高速分光エリプソメーター M-2000 シリーズ
高速分光エリプソメーター M-2000 シリーズ
J.A.Woollam Co., Inc. 製
M-2000シリーズは,全ての偏光状態で高精度な測定が可能な,最新の回転補償子型エリプソメーター(RCE: Rotating Compensator Ellipsometer)です.分光検出部には高感度CCD採用し,広い波長範囲の分光スペクトルデータを数秒で測定することができます.
  • 特許RCE技術により,全偏光状態で高精度な測定を実現.
  • 偏光解消,光学異方性,ミュラー行列などの高度な解析が可能.
  • 高感度CCDの採用による全波長領域の高速同時測定.
  • サンプル縦置き / 横置き,in-situプロセス制御,自動マッピングなど,多彩な応用測定に対応.
  • 解析ソフトウエアWVASE32の豊富な誘電関数モデル,洗練されたフィッティングアルゴリズムにより,多角的で精度の高いデータ解析が可能.

高速分光エリプソメーター M-2000U
高速分光エリプソメーター M-2000U
J.A.Woollam Co., Inc. 製
M-2000U は, 測定波長:245 nm ~ 1000 nmをカバーしており. 誘電体, ポリマー, 半導体, 金属などの広範なアプリケーションに対応可能です. 半導体の電子分極領域の測定が可能なことから, 半導体多層膜の解析, 化合物半導体混晶比の測定など, 高度な測定が行えます.

高速分光エリプソメーター M-2000V
高速分光エリプソメーター M-2000V
J.A.Woollam Co., Inc. 製
M-2000Vは, 測定波長:370 nm ~ 1000 nmに対応するQTHランプ光源を採用することで, コンパクトな光学系を実現しています. そのため, チャンバー搭載のIn-situ 測定などへ容易に発展できます. 誘電体やアモルファス半導体, ポリマーなどの可視領域の光学定数測定・膜厚測定に最適です.

高速分光エリプソメーター M-2000D
高速分光エリプソメーター M-2000D
J.A.Woollam Co., Inc. 製
M-2000Dは, 深紫外193 nmから1000 nmの波長範囲を, 500チャンネルのCCD検出器でカバーします. 短波長領域に拡張されているM-2000Dは, リソグラフィーの波長 (193 nm,248 nm,365 nm) における光学定数測定に対応でき, 極薄膜に感度があることから, 半導体分野の様々なアプリケーションに対応可能です.

高速分光エリプソメーター M-2000F
高速分光エリプソメーター M-2000F
J.A.Woollam Co., Inc. 製
集光ビーム仕様のM-2000Fは, 微小領域での測定が可能です. パターン付きのウエハー, ハードディスクのスライダーヘッド, 曲面や球面レンズ表面薄膜などのアプリケーションに対応できます.
  • 集光スポットサイズ:25 μm x 60 μm ~ 175 μm x 420 μm
  • 入射角:65°固定
  • 高感度CCDの採用による全波長領域の高速同時測定.
  • 顕微カメラ装備(サンプル上のスポットの確認用)
  • 対応測定波長範囲:
    380 nm ~ 1000 nm(M-2000VF,390波長)
    245 nm ~ 1000 nm(M-2000UF,470波長)

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